内绝缘与MF封装 功率MOSFET热扩散性能分析

在功率MOSFET与散热片组装过程中，为达到漏极与散热器的绝缘目的，普通的TO-220产品需采用绝缘片+绝缘粒子的方式。这种方式不但增加了材料和人工成本，同时其成品率与可靠性也难以得到保障，更会出现产线检测时绝缘可以测试通过，而出厂后再出现绝缘失效的现象。

华羿威代理汇芯通电子为解决这一问题，前期主要是用TO-220F封装，但由于其导热、散热能力差，在很多功率耗散大的场合难以全面推广。近一年，内绝缘型封装以其自身绝缘能力、较好的导热、散热性能得到了市场的认可。但内绝缘型封装由于生产工艺复杂、框架与背面基板剥离强度差等问题。

西安后羿半导体以封装技术为突破口，在TO-220F传统封装工艺上从结构和材料上进行了改进，推出的TO-220MF封装，在保持自身绝缘耐压的优良性能的同时，使其传热能力得到了大幅提高。

本实验测试内绝缘型和后羿新型TO-220MF在同等功率耗散下，对比其导热和散热的能力。

在芯片性能（开关损耗、导通损耗）的前提下，新型MF封装的热扩散能力要内绝缘封装。
另外强烈建议在使用内绝缘和MF封装的产品时，**产品与散热器的良好接触，在接触面上摸一层导热硅脂，这是降低产品热失效率的有效保障（汇芯通电子科技）。