典型设备包括: 阻断特性测试台、 晶闸管触发特性测试台、 全自动电力半导体器件静态、 动态综合参数测试台、 反向恢复电荷测试台、晶闸管开通时间、关断时间、电流上升率、电压上升率测试台,高温阻断试验台、自动热稳态压力实具。
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晶闸管、整流管器件静态测试台主要参数及测试范围 |
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测试项目 |
伏安特性测试 |
晶闸管门极特性测试 |
晶闸管维持特性测试 |
晶闸管筆住电流测试 |
通态峰値压降测试 |
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主要参数及范围 |
峰值电压:500~15kV 漏电流: 0.1 ~1000mA |
门极电压VGT:0.2~ 5V 门极电流lGT:1mA~1A |
维持电流HI: 1mA~500mA |
擎住电流IL: 2mA~ 1 000mA |
峰値电流ITM: 500A~ 10kA 峰值压降VTM: 0.1 ~10V |
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晶闸管、整流管器件动态测试台主要参数及测试范围 |
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测试项目 |
电压上升率dv/dt测试 |
电流上升率di/dt测试 |
晶间管关断时间测试Tq |
晶闸管恢复特性测试 |
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主要参数及范围 |
断态电压VD: 100~5000V dv/dt: 100-2500V/us |
通态电流: 10~5000A di/dt: 10-2000A/us |
通态电流lT: 200~4000A(4ms） -di/dt:60A/uS 断态电压VD: 100-4500V dv/dt: 100-2000V/us 反向电压VRR:200V -di/dt:60A/uS |
正向电流lT:200~4000A 脉宽: 1000~4000us 反向,陝复电流lrr: 500A 反向申压VRR:200V -di/dt: 60A/Us 恢复电荷Qrr: 100~25000uC |
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